RT3PDDM Todos los transistores

 

RT3PDDM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT3PDDM
   Código: PDD
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SC-88
 

 Búsqueda de reemplazo de RT3PDDM

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RT3PDDM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  isahaya
 rt3pddm.pdf pdf_icon

RT3PDDM

RT3PDDM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT3PDDM is composite transistor built with two 1.25 RT1P237 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Otros transistores... RT3NVVM , RT3NWWM , RT3NXXM , RT3P11M , RT3P33M , RT3P55M , RT3P66M , RT3P77M , TIP3055 , RT3PEEM , RT3PFFM , RT3PRRM , RT3T11M , RT3T14M , RT3T22M , RT3T33M , RT3T66M .

 

 
Back to Top

 


 
.