RT3PDDM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3PDDM

Маркировка: PDD

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3PDDM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3PDDM даташит

 ..1. Size:168K  isahaya
 rt3pddm.pdf pdf_icon

RT3PDDM

RT3PDDM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT3PDDM is composite transistor built with two 1.25 RT1P237 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы: RT3NVVM, RT3NWWM, RT3NXXM, RT3P11M, RT3P33M, RT3P55M, RT3P66M, RT3P77M, A1015, RT3PEEM, RT3PFFM, RT3PRRM, RT3T11M, RT3T14M, RT3T22M, RT3T33M, RT3T66M