Справочник транзисторов. RT3PDDM

 

Биполярный транзистор RT3PDDM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3PDDM
   Маркировка: PDD
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3PDDM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3PDDM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  isahaya
 rt3pddm.pdf pdf_icon

RT3PDDM

RT3PDDM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT3PDDM is composite transistor built with two 1.25 RT1P237 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы... RT3NVVM , RT3NWWM , RT3NXXM , RT3P11M , RT3P33M , RT3P55M , RT3P66M , RT3P77M , TIP3055 , RT3PEEM , RT3PFFM , RT3PRRM , RT3T11M , RT3T14M , RT3T22M , RT3T33M , RT3T66M .

 

 
Back to Top

 


 
.