RT3T22M Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3T22M

Código: T22

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: SC-88

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RT3T22M datasheet

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RT3T22M

PRELIMINARY RT3T22M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3T22M is compound transistor built with RT1N241 and RT1P241 in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit,

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