RT3T22M Todos los transistores

 

RT3T22M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT3T22M
   Código: T22
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: SC-88
 

 Búsqueda de reemplazo de RT3T22M

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RT3T22M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  isahaya
rt3t22m.pdf pdf_icon

RT3T22M

PRELIMINARY RT3T22M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3T22M is compound transistor built with RT1N241 and RT1P241 in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit,

Otros transistores... RT3P66M , RT3P77M , RT3PDDM , RT3PEEM , RT3PFFM , RT3PRRM , RT3T11M , RT3T14M , TIP42C , RT3T33M , RT3T66M , RT3T77M , RT3TAAM , RT3TBBM , RT3TCCM , RT3TDDM , RT3TFFM .

History: KT521B | BFS20W | 2SB1233 | BUV25

 

 
Back to Top

 


 
.