RT3T22M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3T22M

Маркировка: T22

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3T22M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3T22M даташит

 ..1. Size:169K  isahaya
 rt3t22m.pdf pdf_icon

RT3T22M

PRELIMINARY RT3T22M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3T22M is compound transistor built with RT1N241 and RT1P241 in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit,

Другие транзисторы: RT3P66M, RT3P77M, RT3PDDM, RT3PEEM, RT3PFFM, RT3PRRM, RT3T11M, RT3T14M, TIP42C, RT3T33M, RT3T66M, RT3T77M, RT3TAAM, RT3TBBM, RT3TCCM, RT3TDDM, RT3TFFM