RT3TDDM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3TDDM

Código: TDD

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SC-88

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RT3TDDM datasheet

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RT3TDDM

PRELIMINARY RT3TDDM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3TBBM is compound transistor built with RT1N237 chip and RT1P237 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin

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