RT3TDDM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3TDDM

Маркировка: TDD

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3TDDM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3TDDM даташит

 ..1. Size:177K  isahaya
 rt3tddm.pdf pdf_icon

RT3TDDM

PRELIMINARY RT3TDDM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3TBBM is compound transistor built with RT1N237 chip and RT1P237 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin

Другие транзисторы: RT3T14M, RT3T22M, RT3T33M, RT3T66M, RT3T77M, RT3TAAM, RT3TBBM, RT3TCCM, 13003, RT3TFFM, RT3TGGM, RT3THHM, RT3TLLM, RT3TSSM, RT3TTTM, RT3X99M, RT3XAAM