Справочник транзисторов. RT3TDDM

 

Биполярный транзистор RT3TDDM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3TDDM
   Маркировка: TDD
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SC-88
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3TDDM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  isahaya
 rt3tddm.pdf pdf_icon

RT3TDDM

PRELIMINARY RT3TDDM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3TBBM is compound transistor built with RT1N237 chip and RT1P237 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin

Другие транзисторы... RT3T14M , RT3T22M , RT3T33M , RT3T66M , RT3T77M , RT3TAAM , RT3TBBM , RT3TCCM , S8050 , RT3TFFM , RT3TGGM , RT3THHM , RT3TLLM , RT3TSSM , RT3TTTM , RT3X99M , RT3XAAM .

 

 
Back to Top

 


 
.