Биполярный транзистор RT3TDDM Даташит. Аналоги
Наименование производителя: RT3TDDM
Маркировка: TDD
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SC-88
Аналог (замена) для RT3TDDM
RT3TDDM Datasheet (PDF)
rt3tddm.pdf

PRELIMINARY RT3TDDM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3TBBM is compound transistor built with RT1N237 chip and RT1P237 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin
Другие транзисторы... RT3T14M , RT3T22M , RT3T33M , RT3T66M , RT3T77M , RT3TAAM , RT3TBBM , RT3TCCM , S8050 , RT3TFFM , RT3TGGM , RT3THHM , RT3TLLM , RT3TSSM , RT3TTTM , RT3X99M , RT3XAAM .
History: MMUN2138L | 2SB1640 | BC291B | BC509FB
History: MMUN2138L | 2SB1640 | BC291B | BC509FB



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540