RT3TFFM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RT3TFFM
Código: TFF
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 4.7 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: SC-88
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RT3TFFM
RT3TFFM Datasheet (PDF)
rt3tffm.pdf
PRELIMINARY RT3TFFM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3TFFM is compound transistor built with RT1N431 chip and RT1P431 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050