RT3TFFM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3TFFM

Маркировка: TFF

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3TFFM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3TFFM даташит

 ..1. Size:166K  isahaya
 rt3tffm.pdf pdf_icon

RT3TFFM

PRELIMINARY RT3TFFM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3TFFM is compound transistor built with RT1N431 chip and RT1P431 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin

Другие транзисторы: RT3T22M, RT3T33M, RT3T66M, RT3T77M, RT3TAAM, RT3TBBM, RT3TCCM, RT3TDDM, 2SD1047, RT3TGGM, RT3THHM, RT3TLLM, RT3TSSM, RT3TTTM, RT3X99M, RT3XAAM, RT5N136C