RT3TGGM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RT3TGGM
Código: TGG
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: SC-88
Búsqueda de reemplazo de RT3TGGM
RT3TGGM Datasheet (PDF)
rt3tggm.pdf

PRELIMINARY RT3TGGM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm 2.1 RT3TGGM is composite transistor built with RT1N432 1.25 chip and RT1P432 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mountin
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History: SD1490 | 40367V2 | 2SA346 | KSC2688 | SFT335 | BFQ18A | KSH13009L
History: SD1490 | 40367V2 | 2SA346 | KSC2688 | SFT335 | BFQ18A | KSH13009L



Liste
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