RT3TGGM Todos los transistores

Introduzca al menos 3 números o letras

RT3TGGM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3TGGM

Código: TGG

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 30

Empaquetado / Estuche: SC-88

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RT3TGGM

 

RT3TGGM Datasheet (PDF)

1.1. rt3tggm.pdf Size:157K _upd

RT3TGGM
RT3TGGM

PRELIMINARY RT3TGGM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit:mm 2.1 RT3TGGM is composite transistor built with RT1N432 1.25 chip and RT1P432 chip in SC-88 package. ① ⑥ FEATURE ② ⑤ Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. ③ ④ Mini package for easy mountin

Otros transistores... RT3T33M , RT3T66M , RT3T77M , RT3TAAM , RT3TBBM , RT3TCCM , RT3TDDM , RT3TFFM , C102 , RT3THHM , RT3TLLM , RT3TSSM , RT3TTTM , RT3X99M , RT3XAAM , RT5N136C , RT5N140C .

Back to Top

 


RT3TGGM
  RT3TGGM
  RT3TGGM
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: KRC664E | KRC663E | SMUN5335DW | MP1526 | 3DD5287 | E3150 | 3DD2499 | 3DD4212DT | 2SC9014 | US6H23 | UMH9NFHA | UMH8NFHA | UMH6NFHA | UMH5NFHA | UMH4NFHA | UMH3NFHA | UMH33N | UMH32N | UMH2NFHA | UMH1NFHA |


Introduzca al menos 1 números o letras

 

Back to Top