RT3TGGM Todos los transistores

 

RT3TGGM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3TGGM

Código: TGG

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 30

Empaquetado / Estuche: SC-88

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RT3TGGM

 

 

RT3TGGM Datasheet (PDF)

1.1. rt3tggm.pdf Size:157K _upd

RT3TGGM
RT3TGGM

PRELIMINARY RT3TGGM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit:mm 2.1 RT3TGGM is composite transistor built with RT1N432 1.25 chip and RT1P432 chip in SC-88 package. ① ⑥ FEATURE ② ⑤ Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. ③ ④ Mini package for easy mountin

Otros transistores... 2N3181 , 2N3182 , 2N3183 , 2N3184 , 2N3185 , 2N3186 , 2N3187 , 2N3188 , BC547B , 2N319 , 2N3190 , 2N3191 , 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 .

Back to Top

 


RT3TGGM
  RT3TGGM
  RT3TGGM
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: 2SA1897 | KRC664E | KRC663E | SMUN5335DW | MP1526 | 3DD5287 | E3150 | 3DD2499 | 3DD4212DT | 2SC9014 | US6H23 | UMH9NFHA | UMH8NFHA | UMH6NFHA | UMH5NFHA | UMH4NFHA | UMH3NFHA | UMH33N | UMH32N | UMH2NFHA |

 

 

Back to Top