RT3TGGM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RT3TGGM
Código: TGG
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Empaquetado / Estuche: SC-88
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RT3TGGM
RT3TGGM Datasheet (PDF)
1.1. rt3tggm.pdf 
Size:157K _upd
PRELIMINARY RT3TGGM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit：mm 2.1 RT3TGGM is composite transistor built with RT1N432 1.25 chip and RT1P432 chip in SC-88 package. ① ⑥ FEATURE ② ⑤ Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. ③ ④ Mini package for easy mountin
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