Справочник транзисторов. RT3TGGM

 

Биполярный транзистор RT3TGGM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3TGGM
   Маркировка: TGG
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3TGGM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3TGGM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  isahaya
 rt3tggm.pdf pdf_icon

RT3TGGM

PRELIMINARY RT3TGGM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm 2.1 RT3TGGM is composite transistor built with RT1N432 1.25 chip and RT1P432 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mountin

Другие транзисторы... RT3T33M , RT3T66M , RT3T77M , RT3TAAM , RT3TBBM , RT3TCCM , RT3TDDM , RT3TFFM , S9014 , RT3THHM , RT3TLLM , RT3TSSM , RT3TTTM , RT3X99M , RT3XAAM , RT5N136C , RT5N140C .

History: 2SB13 | BDY15B | EMT1DXV6 | 2N6415 | 2SB1234 | KTD1413

 

 
Back to Top

 


 
.