RT3TGGM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3TGGM

Маркировка: TGG

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3TGGM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3TGGM даташит

 ..1. Size:157K  isahaya
 rt3tggm.pdf pdf_icon

RT3TGGM

PRELIMINARY RT3TGGM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm 2.1 RT3TGGM is composite transistor built with RT1N432 1.25 chip and RT1P432 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mountin

Другие транзисторы: RT3T33M, RT3T66M, RT3T77M, RT3TAAM, RT3TBBM, RT3TCCM, RT3TDDM, RT3TFFM, 2SC2073, RT3THHM, RT3TLLM, RT3TSSM, RT3TTTM, RT3X99M, RT3XAAM, RT5N136C, RT5N140C