RT3THHM Todos los transistores

 

RT3THHM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3THHM

Código: THH

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 80

Empaquetado / Estuche: SC-88

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RT3THHM

 

 

RT3THHM Datasheet (PDF)

1.1. rt3thhm.pdf Size:168K _upd

RT3THHM
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RT3THHM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit:mm RT3THHM is compound transistor built with RT1N436 chip and RT1P436 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit,

Otros transistores... D33D3 , D33D30 , D33D4 , D33D5 , D33D6 , D33J21 , D33J22 , D33J23 , TIP122 , D33J25 , D33J26 , D33J27 , D33J28 , D33J29 , D33J30 , D33K1 , D33K2 .

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