RT3THHM Todos los transistores

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RT3THHM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3THHM

Código: THH

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 80

Empaquetado / Estuche: SC-88

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RT3THHM Datasheet (PDF)

1.1. rt3thhm.pdf Size:168K _upd

RT3THHM
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RT3THHM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit:mm RT3THHM is compound transistor built with RT1N436 chip and RT1P436 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit,

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