Справочник транзисторов. RT3THHM

 

Биполярный транзистор RT3THHM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: RT3THHM

Маркировка: THH

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора: SC-88

Аналоги (замена) для RT3THHM

КУПИТЬ ТРАНЗИСТОРЫ

 

 

RT3THHM Datasheet (PDF)

1.1. rt3thhm.pdf Size:168K _upd

RT3THHM
RT3THHM

RT3THHM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit:mm RT3THHM is compound transistor built with RT1N436 chip and RT1P436 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit,

Другие транзисторы... D32W7 , D32W8 , D32W9 , D33D1 , D33D2 , D33D21 , D33D22 , D33D23 , S9014 , D33D25 , D33D26 , D33D27 , D33D28 , D33D29 , D33D3 , D33D30 , D33D4 .

 

 

Back to Top

 


RT3THHM
  RT3THHM
  RT3THHM
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: 2SA1897 | KRC664E | KRC663E | SMUN5335DW | MP1526 | 3DD5287 | E3150 | 3DD2499 | 3DD4212DT | 2SC9014 | US6H23 | UMH9NFHA | UMH8NFHA | UMH6NFHA | UMH5NFHA | UMH4NFHA | UMH3NFHA | UMH33N | UMH32N | UMH2NFHA |


 

 

 

Back to Top