RT3THHM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3THHM

Маркировка: THH

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3THHM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3THHM даташит

 ..1. Size:168K  isahaya
 rt3thhm.pdf pdf_icon

RT3THHM

RT3THHM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3THHM is compound transistor built with RT1N436 chip and RT1P436 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit,

Другие транзисторы: RT3T66M, RT3T77M, RT3TAAM, RT3TBBM, RT3TCCM, RT3TDDM, RT3TFFM, RT3TGGM, S9014, RT3TLLM, RT3TSSM, RT3TTTM, RT3X99M, RT3XAAM, RT5N136C, RT5N140C, RT5N141C