RT3TSSM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3TSSM

Código: TSS

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 100 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SC-88

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RT3TSSM datasheet

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RT3TSSM

PRELIMINARY RT3TSSM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3TSSM is compound transistor built with RT1N150 chip and RT1P150 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin

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