Справочник транзисторов. RT3TSSM

 

Биполярный транзистор RT3TSSM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3TSSM
   Маркировка: TSS
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3TSSM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3TSSM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  isahaya
 rt3tssm.pdf pdf_icon

RT3TSSM

PRELIMINARY RT3TSSM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3TSSM is compound transistor built with RT1N150 chip and RT1P150 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin

Другие транзисторы... RT3TAAM , RT3TBBM , RT3TCCM , RT3TDDM , RT3TFFM , RT3TGGM , RT3THHM , RT3TLLM , TIP31C , RT3TTTM , RT3X99M , RT3XAAM , RT5N136C , RT5N140C , RT5N141C , RT5N141S , RT5N14BC .

 

 
Back to Top

 


 
.