RT3TSSM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3TSSM

Маркировка: TSS

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3TSSM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3TSSM даташит

 ..1. Size:166K  isahaya
 rt3tssm.pdf pdf_icon

RT3TSSM

PRELIMINARY RT3TSSM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3TSSM is compound transistor built with RT1N150 chip and RT1P150 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin

Другие транзисторы: RT3TAAM, RT3TBBM, RT3TCCM, RT3TDDM, RT3TFFM, RT3TGGM, RT3THHM, RT3TLLM, A733, RT3TTTM, RT3X99M, RT3XAAM, RT5N136C, RT5N140C, RT5N141C, RT5N141S, RT5N14BC