RT3TTTM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RT3TTTM
Código: TTT
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 200 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SC-88
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RT3TTTM Datasheet (PDF)
rt3tttm.pdf

RT3TTTM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3TTTM is compound transistor built with RT1N250 chip and RT1P250 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit,
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History: L2SD882P | NTE2343 | KRX202U | KT918A | 2SB1201S | CX904C | BUV74
History: L2SD882P | NTE2343 | KRX202U | KT918A | 2SB1201S | CX904C | BUV74



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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