RT3TTTM Todos los transistores

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RT3TTTM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3TTTM

Código: TTT

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 200 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 100

Empaquetado / Estuche: SC-88

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RT3TTTM Datasheet (PDF)

1.1. rt3tttm.pdf Size:166K _upd

RT3TTTM
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 RT3TTTM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit:mm RT3TTTM is compound transistor built with RT1N250 chip and RT1P250 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit,

Otros transistores... RT3TBBM , RT3TCCM , RT3TDDM , RT3TFFM , RT3TGGM , RT3THHM , RT3TLLM , RT3TSSM , 2N222 , RT3X99M , RT3XAAM , RT5N136C , RT5N140C , RT5N141C , RT5N141S , RT5N14BC , RT5N227C .

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