Справочник транзисторов. RT3TTTM

 

Биполярный транзистор RT3TTTM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3TTTM
   Маркировка: TTT
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 200 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3TTTM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3TTTM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  isahaya
 rt3tttm.pdf pdf_icon

RT3TTTM

RT3TTTM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3TTTM is compound transistor built with RT1N250 chip and RT1P250 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit,

Другие транзисторы... RT3TBBM , RT3TCCM , RT3TDDM , RT3TFFM , RT3TGGM , RT3THHM , RT3TLLM , RT3TSSM , A940 , RT3X99M , RT3XAAM , RT5N136C , RT5N140C , RT5N141C , RT5N141S , RT5N14BC , RT5N227C .

History: AD136-IV | 2SB1296 | MQ1711 | 2N3299 | ZTX789A

 

 
Back to Top

 


 
.