RT3TTTM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3TTTM

Маркировка: TTT

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 200 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3TTTM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3TTTM даташит

 ..1. Size:166K  isahaya
 rt3tttm.pdf pdf_icon

RT3TTTM

RT3TTTM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3TTTM is compound transistor built with RT1N250 chip and RT1P250 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit,

Другие транзисторы: RT3TBBM, RT3TCCM, RT3TDDM, RT3TFFM, RT3TGGM, RT3THHM, RT3TLLM, RT3TSSM, S8550, RT3X99M, RT3XAAM, RT5N136C, RT5N140C, RT5N141C, RT5N141S, RT5N14BC, RT5N227C