RT3X99M Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3X99M

Código: X99

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 40 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 40 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 820

Encapsulados: SC-88

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RT3X99M datasheet

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RT3X99M

RT3X99M Composite Transistor For Muting Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION RT3X99M is a composite transistor with built-in bias resistor FEATURE Built-in bias resistor ( R1=2.2 K ) Mini package for easy mounting APPLICATION muting circuit switching circuit TERMINAL CONNEC

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