RT3X99M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RT3X99M
Código: X99
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 40 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 40 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 820
Empaquetado / Estuche: SC-88
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RT3X99M
RT3X99M Datasheet (PDF)
1.1. rt3x99m.pdf 
Size:167K _upd
RT3X99M Composite Transistor For Muting Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit：mm DESCRIPTION RT3X99M is a composite transistor with built-in bias resistor FEATURE ●Built-in bias resistor ( R1=2.2 KΩ) ●Mini package for easy mounting APPLICATION muting circuit、switching circuit ⑥ ⑤ ④ ⑥ ⑤ ④ ⑥ ⑤ ④ ⑤ ④ TERMINAL CONNEC
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