RT3X99M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3X99M

Маркировка: X99

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 820

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3X99M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3X99M даташит

 ..1. Size:167K  isahaya
 rt3x99m.pdf pdf_icon

RT3X99M

RT3X99M Composite Transistor For Muting Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION RT3X99M is a composite transistor with built-in bias resistor FEATURE Built-in bias resistor ( R1=2.2 K ) Mini package for easy mounting APPLICATION muting circuit switching circuit TERMINAL CONNEC

Другие транзисторы: RT3TCCM, RT3TDDM, RT3TFFM, RT3TGGM, RT3THHM, RT3TLLM, RT3TSSM, RT3TTTM, 2SC4793, RT3XAAM, RT5N136C, RT5N140C, RT5N141C, RT5N141S, RT5N14BC, RT5N227C, RT5N230C