Справочник транзисторов. RT3X99M

 

Биполярный транзистор RT3X99M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3X99M
   Маркировка: X99
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 820
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3X99M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3X99M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  isahaya
 rt3x99m.pdf pdf_icon

RT3X99M

RT3X99M Composite Transistor For Muting ApplicationSilicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION RT3X99M is a composite transistor with built-in bias resistor FEATURE Built-in bias resistor ( R1=2.2 K) Mini package for easy mounting APPLICATION muting circuitswitching circuit TERMINAL CONNEC

Другие транзисторы... RT3TCCM , RT3TDDM , RT3TFFM , RT3TGGM , RT3THHM , RT3TLLM , RT3TSSM , RT3TTTM , MJE340 , RT3XAAM , RT5N136C , RT5N140C , RT5N141C , RT5N141S , RT5N14BC , RT5N227C , RT5N230C .

 

 
Back to Top

 


 
.