RT5N430C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT5N430C

Código: NA

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SC-59

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RT5N430C datasheet

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RT5N430C

PRELIMINARY RT5N430C Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION RT5N430C is a one chip transistor with built-in bias 2.8 resistor, PNP type is RT5P430C. 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor R =4.7k 1 High collector current Ic=0.5A Mini package for easy mounting A

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RT5N430C

RT5N431C Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm 2.8 RT5N431C is a one chip transistor with built-in bias 0.65 1.5 0.65 resistor, PNP type is RT5P431C. FEATURE Built-in bias resistor R =4.7k , R =4.7k 1 2 High collector current Ic=0.5A Mini package for easy mounting

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