RT5N430C Todos los transistores

 

RT5N430C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT5N430C
   Código: NA
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SC-59
 

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RT5N430C Datasheet (PDF)

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RT5N430C

PRELIMINARY RT5N430C Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unit: mm DESCRIPTION RT5N430C is a one chip transistor with built-in bias 2.8 resistor, PNP type is RT5P430C. 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor R =4.7k 1High collector current Ic=0.5A Mini package for easy mounting A

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RT5N430C

RT5N431C Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit: mm 2.8 RT5N431C is a one chip transistor with built-in bias 0.65 1.5 0.65 resistor, PNP type is RT5P431C. FEATURE Built-in bias resistor R =4.7k, R =4.7k 1 2High collector current Ic=0.5A Mini package for easy mounting

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