Справочник транзисторов. RT5N430C

 

Биполярный транзистор RT5N430C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT5N430C
   Маркировка: NA
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-59
 

 Аналог (замена) для RT5N430C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT5N430C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:135K  isahaya
 rt5n430c.pdf pdf_icon

RT5N430C

PRELIMINARY RT5N430C Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unit: mm DESCRIPTION RT5N430C is a one chip transistor with built-in bias 2.8 resistor, PNP type is RT5P430C. 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor R =4.7k 1High collector current Ic=0.5A Mini package for easy mounting A

 8.1. Size:130K  isahaya
 rt5n431c.pdf pdf_icon

RT5N430C

RT5N431C Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit: mm 2.8 RT5N431C is a one chip transistor with built-in bias 0.65 1.5 0.65 resistor, PNP type is RT5P431C. FEATURE Built-in bias resistor R =4.7k, R =4.7k 1 2High collector current Ic=0.5A Mini package for easy mounting

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.