RTBN226AP1 Todos los transistores

 

RTBN226AP1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RTBN226AP1
   Código: NN
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 0.22 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 2.2 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SC-62
 

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RTBN226AP1 Datasheet (PDF)

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RTBN226AP1

SMALL-SIGNAL TRANSISTORPRELIMINARY RTBN226AP1 NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm RTBN226AP1 is a one chip transistor with built-in bias transistor. 4.6 MAX1.51.6FEATURE Built-in bias resistor

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RTBN226AP1

SMALL-SIGNAL TRANSISTORPRELIMINARY RTBN234AP1 NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm RTBN234AP1 is a one chip transistor with built-in bias transistor. 4.6 MAX1.51.6FEATURE Built-in bias resistor

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History: 2SB1270Q | 41500 | 2N3613 | 2SC395 | PN2907AR | ST2SB9435U | 2N5356

 

 
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