Биполярный транзистор RTBN226AP1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RTBN226AP1
Маркировка: NN
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SC-62
Аналоги (замена) для RTBN226AP1
RTBN226AP1 Datasheet (PDF)
rtbn226ap1.pdf
SMALL-SIGNAL TRANSISTORPRELIMINARY RTBN226AP1 NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm RTBN226AP1 is a one chip transistor with built-in bias transistor. 4.6 MAX1.51.6FEATURE Built-in bias resistor
rtbn234ap1.pdf
SMALL-SIGNAL TRANSISTORPRELIMINARY RTBN234AP1 NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm RTBN234AP1 is a one chip transistor with built-in bias transistor. 4.6 MAX1.51.6FEATURE Built-in bias resistor
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050