Справочник транзисторов. RTBN226AP1

 

Биполярный транзистор RTBN226AP1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RTBN226AP1
   Маркировка: NN
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-62
 

 Аналог (замена) для RTBN226AP1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RTBN226AP1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  isahaya
 rtbn226ap1.pdf pdf_icon

RTBN226AP1

SMALL-SIGNAL TRANSISTORPRELIMINARY RTBN226AP1 NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm RTBN226AP1 is a one chip transistor with built-in bias transistor. 4.6 MAX1.51.6FEATURE Built-in bias resistor

 9.1. Size:111K  isahaya
 rtbn234ap1.pdf pdf_icon

RTBN226AP1

SMALL-SIGNAL TRANSISTORPRELIMINARY RTBN234AP1 NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm RTBN234AP1 is a one chip transistor with built-in bias transistor. 4.6 MAX1.51.6FEATURE Built-in bias resistor

Другие транзисторы... RTAN230M , RTAN230U , RTAN430C , RTAN430M , RTAN430U , RTBN131AP1 , RTBN141AP1 , RTBN14BAP1 , 2222A , RTBN234AP1 , RTBN426AP1 , RTBN432AP1 , RTGN131AP , RTGN141AP , RTGN14BAP , RTGN226AP , RTGN234AP .

History: 2N2815 | HT882 | 2N1957 | 2SA917 | KT684V

 

 
Back to Top

 


 
.