RTBN426AP1 Todos los transistores

 

RTBN426AP1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RTBN426AP1
   Código: NM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 0.47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 4.7 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SC-62
 

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RTBN426AP1 Datasheet (PDF)

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RTBN426AP1

SMALL-SIGNAL TRANSISTORPRELIMINARY RTBN426AP1 NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm RTBN426AP1 is a one chip transistor with built-in bias transistor. 4.6 MAX1.51.6FEATURE Built-in bias resistor

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RTBN426AP1

SMALL-SIGNAL TRANSISTORPRELIMINARY RTBN432AP1 NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm RTBN432AP1 is a one chip transistor with built-in bias transistor. 4.6 MAX1.51.6FEATURE Built-in bias resistor

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History: 2SB1413 | S1516 | GSH9012E | 2SB1270 | BC847CQ | PZTA43 | 2SB1466

 

 
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