Справочник транзисторов. RTBN426AP1

 

Биполярный транзистор RTBN426AP1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RTBN426AP1
   Маркировка: NM
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SC-62
 

 Аналог (замена) для RTBN426AP1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RTBN426AP1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  isahaya
 rtbn426ap1.pdf pdf_icon

RTBN426AP1

SMALL-SIGNAL TRANSISTORPRELIMINARY RTBN426AP1 NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm RTBN426AP1 is a one chip transistor with built-in bias transistor. 4.6 MAX1.51.6FEATURE Built-in bias resistor

 9.1. Size:112K  isahaya
 rtbn432ap1.pdf pdf_icon

RTBN426AP1

SMALL-SIGNAL TRANSISTORPRELIMINARY RTBN432AP1 NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm RTBN432AP1 is a one chip transistor with built-in bias transistor. 4.6 MAX1.51.6FEATURE Built-in bias resistor

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.