RTGN234AP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RTGN234AP
Código: NA
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.22
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RTGN234AP
RTGN234AP Datasheet (PDF)
rtgn234ap.pdf
SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN234AP TRANSISTOR WITH RESISTORFOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING Unitmm DISCRIPTION RTGN234AP is a one chip transistor with 4.6 MAX1.5built-in bias transistor. 1.6FEATURE Built-in bias resistor R1=2.2k,R2=10k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E CB0.8 MIN Bui
rtgn226ap.pdf
SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN226AP TRANSISTOR WITH RESISTORFOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING Unitmm DISCRIPTION RTGN226AP is a one chip transistor with 4.6 MAX1.5built-in bias transistor. 1.6FEATURE Built-in bias resistor R1=0.22k,R2=2.2k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E CB0.8 MIN Bui
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