Биполярный транзистор RTGN234AP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RTGN234AP
Маркировка: NA
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для RTGN234AP
RTGN234AP Datasheet (PDF)
rtgn234ap.pdf
SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN234AP TRANSISTOR WITH RESISTORFOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING Unitmm DISCRIPTION RTGN234AP is a one chip transistor with 4.6 MAX1.5built-in bias transistor. 1.6FEATURE Built-in bias resistor R1=2.2k,R2=10k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E CB0.8 MIN Bui
rtgn226ap.pdf
SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN226AP TRANSISTOR WITH RESISTORFOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING Unitmm DISCRIPTION RTGN226AP is a one chip transistor with 4.6 MAX1.5built-in bias transistor. 1.6FEATURE Built-in bias resistor R1=0.22k,R2=2.2k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E CB0.8 MIN Bui
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050