RTGN432P Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RTGN432P

Código: NE

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT89

 Búsqueda de reemplazo de RTGN432P

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RTGN432P datasheet

 ..1. Size:129K  isahaya
 rtgn432p.pdf pdf_icon

RTGN432P

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN432P TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE OUTLINE DRAWING Unit mm DISCRIPTION RTGN432P is a one chip transistor with 4.6 MAX 1.5 built-in bias transistor. 1.6 FEATURE Built-in bias resistor R1=4.7k ,R2=10k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E C B 0.8 MIN Built-i

 9.1. Size:159K  isahaya
 rtgn426ap.pdf pdf_icon

RTGN432P

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN426AP TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE OUTLINE DRAWING Unit mm DISCRIPTION RTGN426AP is a one chip transistor with 4.6 MAX 1.5 built-in bias transistor. 1.6 FEATURE Built-in bias resistor R1=0.47k ,R2=4.7k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E C B 0.8 MIN B

Otros transistores... RTBN426AP1, RTBN432AP1, RTGN131AP, RTGN141AP, RTGN14BAP, RTGN226AP, RTGN234AP, RTGN426AP, MPSA42, UMB10NFHA, UMB11NFHA, UMB2NFHA, UMB3NFHA, UMB4NFHA, UMB6NFHA, UMC2NT1G, UMC3NT1G