Справочник транзисторов. RTGN432P

 

Биполярный транзистор RTGN432P Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RTGN432P
   Маркировка: NE
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для RTGN432P

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RTGN432P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  isahaya
 rtgn432p.pdf pdf_icon

RTGN432P

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN432P TRANSISTOR WITH RESISTORFOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING Unitmm DISCRIPTION RTGN432P is a one chip transistor with 4.6 MAX1.5built-in bias transistor. 1.6FEATURE Built-in bias resistor R1=4.7k,R2=10k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E CB0.8 MIN Built-i

 9.1. Size:159K  isahaya
 rtgn426ap.pdf pdf_icon

RTGN432P

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN426AP TRANSISTOR WITH RESISTORFOR SWITHING APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING Unitmm DISCRIPTION RTGN426AP is a one chip transistor with 4.6 MAX1.5built-in bias transistor. 1.6FEATURE Built-in bias resistor R1=0.47k,R2=4.7k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E CB0.8 MIN B

Другие транзисторы... RTBN426AP1 , RTBN432AP1 , RTGN131AP , RTGN141AP , RTGN14BAP , RTGN226AP , RTGN234AP , RTGN426AP , 13001-A , UMB10NFHA , UMB11NFHA , UMB2NFHA , UMB3NFHA , UMB4NFHA , UMB6NFHA , UMC2NT1G , UMC3NT1G .

 

 
Back to Top

 


 
.