RTGN432P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTGN432P

Маркировка: NE

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для RTGN432P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RTGN432P даташит

 ..1. Size:129K  isahaya
 rtgn432p.pdf pdf_icon

RTGN432P

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN432P TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE OUTLINE DRAWING Unit mm DISCRIPTION RTGN432P is a one chip transistor with 4.6 MAX 1.5 built-in bias transistor. 1.6 FEATURE Built-in bias resistor R1=4.7k ,R2=10k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E C B 0.8 MIN Built-i

 9.1. Size:159K  isahaya
 rtgn426ap.pdf pdf_icon

RTGN432P

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN426AP TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE OUTLINE DRAWING Unit mm DISCRIPTION RTGN426AP is a one chip transistor with 4.6 MAX 1.5 built-in bias transistor. 1.6 FEATURE Built-in bias resistor R1=0.47k ,R2=4.7k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E C B 0.8 MIN B

Другие транзисторы: RTBN426AP1, RTBN432AP1, RTGN131AP, RTGN141AP, RTGN14BAP, RTGN226AP, RTGN234AP, RTGN426AP, MPSA42, UMB10NFHA, UMB11NFHA, UMB2NFHA, UMB3NFHA, UMB4NFHA, UMB6NFHA, UMC2NT1G, UMC3NT1G