UMB4NFHA Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMB4NFHA

Código: B4

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-353

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UMB4NFHA datasheet

 ..1. Size:1163K  rohm
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UMB4NFHA

EMB4FHA / UMB4NFHA EMB4 / UMB4N Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCEO -50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) -100mA (2) (2) (3) (3) R1 10kW EMB4 UMB4N EMB4FHA UMB4NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circuit 1) Bui

 9.1. Size:48K  rohm
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UMB4NFHA

UMA4N / UMB4N / UMB8N / FMA4A / IMB4A / IMB8 Transistors Transistors UMG4N / UMG7N / UMH4N / UMH8N / FMG4A / FMG7A / IMH4A / IMH8 (96-448-A114T)

Otros transistores... RTGN226AP, RTGN234AP, RTGN426AP, RTGN432P, UMB10NFHA, UMB11NFHA, UMB2NFHA, UMB3NFHA, MJE350, UMB6NFHA, UMC2NT1G, UMC3NT1G, UMC5NT1G, UMD12N, UMD12NFHA, UMD22N, UMD22NFHA