UMB4NFHA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UMB4NFHA

Маркировка: B4

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-353

 Аналоги (замена) для UMB4NFHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMB4NFHA даташит

 ..1. Size:1163K  rohm
 umb4nfha.pdf pdf_icon

UMB4NFHA

EMB4FHA / UMB4NFHA EMB4 / UMB4N Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCEO -50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) -100mA (2) (2) (3) (3) R1 10kW EMB4 UMB4N EMB4FHA UMB4NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circuit 1) Bui

 9.1. Size:48K  rohm
 umb4n imb4a b4 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

UMB4NFHA

UMA4N / UMB4N / UMB8N / FMA4A / IMB4A / IMB8 Transistors Transistors UMG4N / UMG7N / UMH4N / UMH8N / FMG4A / FMG7A / IMH4A / IMH8 (96-448-A114T)

Другие транзисторы: RTGN226AP, RTGN234AP, RTGN426AP, RTGN432P, UMB10NFHA, UMB11NFHA, UMB2NFHA, UMB3NFHA, MJE350, UMB6NFHA, UMC2NT1G, UMC3NT1G, UMC5NT1G, UMD12N, UMD12NFHA, UMD22N, UMD22NFHA