UMD12N Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMD12N

Código: D12

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 68

Encapsulados: SOT-353

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UMD12N datasheet

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UMD12N

EMD12 / UMD12N Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 47kW EMD12 UMD12N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 47kW Parameter Value VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1

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UMD12N

EMD12 / UMD12N Transistors Power management (dual digital transistors) EMD12 / UMD12N Features EMD12 1) Both the DTA144E and DTC144E in a EMT or UMT ( ) ( ) 4 3 package. ( ) ( ) 5 2 ( ) ( ) 6 1 1.2 1.6 Equivalent circuit (3) (2) (1) ROHM EMT6 Each lead has same dimensions R1 R2 DTr1 DTr2 UMD12N R2 R1 (4) (5) (6) R1=47k R2=47k 1.25 2.1 Package,

 ..3. Size:40K  rohm
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UMD12N

(94S-815-AC143T

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UMD12N

EMD12FHA / UMD12NFHA EMD12 / UMD12N Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 47kW EMD12FHA UMD12NFHA EMD12 UMD12N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 47kW Para

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