Биполярный транзистор UMD12N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMD12N
Маркировка: D12
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
Корпус транзистора: SOT-353
UMD12N Datasheet (PDF)
emd12 umd12n.pdf
EMD12 / UMD12NDatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC50V(1) (1) (2) IC(MAX.)100mA (2) (3) (3) R147kWEMD12 UMD12N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 47kWParameter ValueVCC-50VIC(MAX.)-100mAR1
emd12 umd12n.pdf
EMD12 / UMD12N Transistors Power management (dual digital transistors) EMD12 / UMD12N Features EMD121) Both the DTA144E and DTC144E in a EMT or UMT ( ) ( )4 3package. ( ) ( )5 2( ) ( )6 11.21.6 Equivalent circuit (3) (2) (1)ROHM : EMT6 Each lead has same dimensionsR1 R2DTr1DTr2 UMD12NR2R1(4) (5) (6)R1=47kR2=47k 1.252.1 Package,
emd12fha umd12nfha.pdf
EMD12FHA / UMD12NFHAEMD12 / UMD12NDatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6)(6) (5) (5) (4) (4)VCC50V(1)(1) (2)IC(MAX.)100mA (2) (3) (3)R147kWEMD12FHA UMD12NFHAEMD12UMD12N(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)47kWPara
pumd12 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageMBD128PUMD12NPN/PNP resistor-equippedtransistor1999 Apr 26Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationNPN/PNP resistor-equipped transistor PUMD12FEATURES6 5 4handbook, halfpage Transistors with different polarityand built-in bias resistors6 5 4R1 and R2 (typ. 47 k each) R1 R2TR2 N
pemd12 pumd12.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMD12; PUMD12NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2003 Oct 08Supersedes data of 2001 Nov 7NXP Semiconductors Product data sheetNPN/PNP resistor-equipped transistors; PEMD12; PUMD12R1 = 47 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UN
chumd12gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHUMD12GPSURFACE MOUNTDual Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 30 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SC-88/SOT-363)SC-88/SOT-363* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation curr
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050