UMD4N Todos los transistores

 

UMD4N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMD4N
   Código: D4
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 68
   Paquete / Cubierta: SOT-353
 

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UMD4N Datasheet (PDF)

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UMD4N

EMD4 / UMD4N Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD4 / UMD4N Features External dimensions (Unit : mm) 1) Both the DTA114Y chip and DTC144E chip in EMD4an EMT6 or UMT6 package. ( ) ( )4 32) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic ( ) ( )5 26 1mounting machines. ( ) ( )1.21.63) Transistor elements are independent, eliminating inter

 ..2. Size:534K  rohm
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UMD4N

EMD4 / UMD4NDatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline(6) EMT6 UMT6Parameter Value(6) (5) (5) (4) (4) VCC50V(1) (1) (2) (2) IC(MAX.)100mA (3) (3) R147kWEMD4 UMD4N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 47kWParameter ValueVCC-50VIC(MAX.)-100mAR110kW

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: OC71N | UN2117S

 

 
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