UMD4N Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMD4N

Código: D4

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 68

Encapsulados: SOT-353

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UMD4N datasheet

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UMD4N

EMD4 / UMD4N Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD4 / UMD4N Features External dimensions (Unit mm) 1) Both the DTA114Y chip and DTC144E chip in EMD4 an EMT6 or UMT6 package. ( ) ( ) 4 3 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic ( ) ( ) 5 2 6 1 mounting machines. ( ) ( ) 1.2 1.6 3) Transistor elements are independent, eliminating inter

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UMD4N

EMD4 / UMD4N Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline (6) EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 47kW EMD4 UMD4N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 47kW Parameter Value VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 10kW

Otros transistores... UMC3NT1G, UMC5NT1G, UMD12N, UMD12NFHA, UMD22N, UMD22NFHA, UMD2NFHA, UMD3NFHA, 2SC5200, UMD5N, UMD6NFHA, UMD9NFHA, UMH10NFHA, UMH11NFHA, UMH14N, UMH14NFHA, UMH1NFHA