Биполярный транзистор UMD4N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMD4N
Маркировка: D4
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
Корпус транзистора: SOT-353
UMD4N Datasheet (PDF)
emd4 umd4n.pdf
EMD4 / UMD4N Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD4 / UMD4N Features External dimensions (Unit : mm) 1) Both the DTA114Y chip and DTC144E chip in EMD4an EMT6 or UMT6 package. ( ) ( )4 32) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic ( ) ( )5 26 1mounting machines. ( ) ( )1.21.63) Transistor elements are independent, eliminating inter
emd4 umd4n.pdf
EMD4 / UMD4NDatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline(6) EMT6 UMT6Parameter Value(6) (5) (5) (4) (4) VCC50V(1) (1) (2) (2) IC(MAX.)100mA (3) (3) R147kWEMD4 UMD4N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 47kWParameter ValueVCC-50VIC(MAX.)-100mAR110kW
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050