Биполярный транзистор UMD4N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMD4N
Маркировка: D4
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
Корпус транзистора: SOT-353
UMD4N Datasheet (PDF)
1.1. umd4n.pdf 
Size:534K _upd
EMD4 / UMD4N
Datasheet
NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)
1.2. emd4 umd4n.pdf
EMD4 / UMD4N
Transistors
General purpose
(dual digital transistors)
EMD4 / UMD4N
Features External dimensions (Unit : mm)
1) Both the DTA114Y chip and DTC144E chip in
EMD4
an EMT6 or UMT6 package.
( ) ( )
4 3
2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic
( ) ( )
5 2
6 1
mounting machines. ( ) ( )
1.2
1.6
3) Transistor elements are independent, eliminating
interfer Size:75K _rohm
Другие транзисторы... UMC3NT1G , UMC5NT1G , UMD12N , UMD12NFHA , UMD22N , UMD22NFHA , UMD2NFHA , UMD3NFHA , 2N2222A , UMD5N , UMD6NFHA , UMD9NFHA , UMH10NFHA , UMH11NFHA , UMH14N , UMH14NFHA , UMH1NFHA .
