UMD4N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UMD4N

Маркировка: D4

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SOT-353

 Аналоги (замена) для UMD4N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMD4N даташит

 ..1. Size:75K  rohm
 emd4 umd4n.pdf pdf_icon

UMD4N

EMD4 / UMD4N Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD4 / UMD4N Features External dimensions (Unit mm) 1) Both the DTA114Y chip and DTC144E chip in EMD4 an EMT6 or UMT6 package. ( ) ( ) 4 3 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic ( ) ( ) 5 2 6 1 mounting machines. ( ) ( ) 1.2 1.6 3) Transistor elements are independent, eliminating inter

 ..2. Size:534K  rohm
 emd4 umd4n.pdf pdf_icon

UMD4N

EMD4 / UMD4N Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline (6) EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 47kW EMD4 UMD4N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 47kW Parameter Value VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 10kW

Другие транзисторы: UMC3NT1G, UMC5NT1G, UMD12N, UMD12NFHA, UMD22N, UMD22NFHA, UMD2NFHA, UMD3NFHA, 2SC5200, UMD5N, UMD6NFHA, UMD9NFHA, UMH10NFHA, UMH11NFHA, UMH14N, UMH14NFHA, UMH1NFHA