UMH14N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UMH14N
Código: H14
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT-353
- Selección de transistores por parámetros
UMH14N Datasheet (PDF)
umh14n.pdf

UMH14N / IMH14ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlineUMT6 SMT6Parameter Tr1 and Tr2(4) (6) (5) (5) (6) (4) VCEO50V(3) (1) IC100mA (2) (2) (1) (3) R147kWUMH14N IMH14A SOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74) lFeatures lInner circuitCollector 1) Built-In Biasing Resistors. Base Collector
umh14n umh14a.pdf

UMH14N / IMH14A Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH14N / IMH14A External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two DTC144T chips in a UMT or SMT package. UMH14N Equivalent circuit UMH14N IMH14A1.25(3) (2) (1) (4) (5) (6)2.1R1 R10.1Min.R1 R1(4) (5) (6) (3) (2) (1)ROHM : UMT6 Each lead has same dimensionsEIAJ : SC-88 Package, marking, an
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UMH14N dual digital transistors (NPN+ NPN)SOT-363 FEATURES Two DTC144T chips in a package. 1 Marking: H14 Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-base Voltage 50 V VCEO Collector-emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-base Voltage 5 V IC Collector current 100 mA PD Power dissipation 150 mW TJ Junction temperatur
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: KTC2022L | OC363 | 2SA1539 | ASY90-1 | KT657V-2 | 2N3055E | MJD350-1
History: KTC2022L | OC363 | 2SA1539 | ASY90-1 | KT657V-2 | 2N3055E | MJD350-1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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