UMH14N Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMH14N

Código: H14

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-353

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UMH14N datasheet

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UMH14N

UMH14N / IMH14A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline UMT6 SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (4) (6) (5) (5) (6) (4) VCEO 50V (3) (1) IC 100mA (2) (2) (1) (3) R1 47kW UMH14N IMH14A SOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74) lFeatures lInner circuit Collector 1) Built-In Biasing Resistors. Base Collector

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UMH14N

UMH14N / IMH14A Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH14N / IMH14A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTC144T chips in a UMT or SMT package. UMH14N Equivalent circuit UMH14N IMH14A 1.25 (3) (2) (1) (4) (5) (6) 2.1 R1 R1 0.1Min. R1 R1 (4) (5) (6) (3) (2) (1) ROHM UMT6 Each lead has same dimensions EIAJ SC-88 Package, marking, an

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UMH14N

(94S-777-A144T

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UMH14N

UMH14N dual digital transistors (NPN+ NPN) SOT-363 FEATURES Two DTC144T chips in a package. 1 Marking H14 Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25 ) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-base Voltage 50 V VCEO Collector-emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-base Voltage 5 V IC Collector current 100 mA PD Power dissipation 150 mW TJ Junction temperatur

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