UMH14N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UMH14N

Маркировка: H14

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-353

 Аналоги (замена) для UMH14N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMH14N даташит

 ..1. Size:340K  rohm
umh14n.pdfpdf_icon

UMH14N

UMH14N / IMH14A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline UMT6 SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (4) (6) (5) (5) (6) (4) VCEO 50V (3) (1) IC 100mA (2) (2) (1) (3) R1 47kW UMH14N IMH14A SOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74) lFeatures lInner circuit Collector 1) Built-In Biasing Resistors. Base Collector

 ..2. Size:59K  rohm
umh14n umh14a.pdfpdf_icon

UMH14N

UMH14N / IMH14A Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH14N / IMH14A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTC144T chips in a UMT or SMT package. UMH14N Equivalent circuit UMH14N IMH14A 1.25 (3) (2) (1) (4) (5) (6) 2.1 R1 R1 0.1Min. R1 R1 (4) (5) (6) (3) (2) (1) ROHM UMT6 Each lead has same dimensions EIAJ SC-88 Package, marking, an

 ..3. Size:41K  rohm
umh14n imh14a h14 sot363 sot23-6.pdfpdf_icon

UMH14N

(94S-777-A144T

 ..4. Size:393K  htsemi
umh14n.pdfpdf_icon

UMH14N

UMH14N dual digital transistors (NPN+ NPN) SOT-363 FEATURES Two DTC144T chips in a package. 1 Marking H14 Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25 ) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-base Voltage 50 V VCEO Collector-emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-base Voltage 5 V IC Collector current 100 mA PD Power dissipation 150 mW TJ Junction temperatur

Другие транзисторы: UMD2NFHA, UMD3NFHA, UMD4N, UMD5N, UMD6NFHA, UMD9NFHA, UMH10NFHA, UMH11NFHA, C945, UMH14NFHA, UMH1NFHA, UMH2NFHA, UMH32N, UMH33N, UMH3NFHA, UMH4NFHA, UMH5NFHA