Биполярный транзистор UMH14N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMH14N
Маркировка: H14
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-353
UMH14N Datasheet (PDF)
umh14n.pdf
UMH14N / IMH14ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlineUMT6 SMT6Parameter Tr1 and Tr2(4) (6) (5) (5) (6) (4) VCEO50V(3) (1) IC100mA (2) (2) (1) (3) R147kWUMH14N IMH14A SOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74) lFeatures lInner circuitCollector 1) Built-In Biasing Resistors. Base Collector
umh14n umh14a.pdf
UMH14N / IMH14A Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH14N / IMH14A External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two DTC144T chips in a UMT or SMT package. UMH14N Equivalent circuit UMH14N IMH14A1.25(3) (2) (1) (4) (5) (6)2.1R1 R10.1Min.R1 R1(4) (5) (6) (3) (2) (1)ROHM : UMT6 Each lead has same dimensionsEIAJ : SC-88 Package, marking, an
umh14n.pdf
UMH14N dual digital transistors (NPN+ NPN)SOT-363 FEATURES Two DTC144T chips in a package. 1 Marking: H14 Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-base Voltage 50 V VCEO Collector-emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-base Voltage 5 V IC Collector current 100 mA PD Power dissipation 150 mW TJ Junction temperatur
umh14nfha imh14afra.pdf
UMH14N / IMH14AUMH14NFHA / IMH14AFRADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineUMT6 SMT6Parameter Tr1 and Tr2(4)(6) (5) (5) (6) (4)VCEO50V(3)(1)IC100mA (2) (2) (1) (3)R147kWUMH14NFHA IMH14AFRAUMH14N IMH14ASOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74)lFeatures lInner circuitCollect
umh14nfha.pdf
UMH14N / IMH14AUMH14NFHA / IMH14AFRADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineUMT6 SMT6Parameter Tr1 and Tr2(4)(6) (5) (5) (6) (4)VCEO50V(3)(1)IC100mA (2) (2) (1) (3)R147kWUMH14NFHA IMH14AFRAUMH14N IMH14ASOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74)lFeatures lInner circuitCollect
pemh14 pumh14.pdf
PEMH14; PUMH14NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 k, R2 = openRev. 03 15 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/NPN Resistor-Equipped Transistors (RET).Table 1. Product overviewType number Package NPN/PNP PNP/PNP complement complementNXP JEITAPEMH14 SOT666 - PEMD14 PEMB14PUMH14 SOT363 SC-88 PUMD14 PUMB141.2 Feature
chumh14gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHUMH14GPSURFACE MOUNTDual Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SC-88/SOT-363)SC-88/SOT-363* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation cur
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050