UMH32N Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UMH32N
Código: H32
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 40 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 35 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 820
Encapsulados: SOT-353
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UMH32N datasheet
umh32n.pdf
UMH32N Datasheet NPN 400mA 20V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) For Muting. lOutline UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (5) VCEO 20V (4) (1) (2) VEBO 40V (3) IC 400mA UMH32N SOT-353 (SC-88) R1 4.7kW lFeatures 1) Built-In Biasing Resistors 2) Two DTC943TUB chips in one package. 3) High Breakdown Voltage of Emitter to Base BVEBO is
Otros transistores... UMD6NFHA , UMD9NFHA , UMH10NFHA , UMH11NFHA , UMH14N , UMH14NFHA , UMH1NFHA , UMH2NFHA , BC548 , UMH33N , UMH3NFHA , UMH4NFHA , UMH5NFHA , UMH6NFHA , UMH8NFHA , UMH9NFHA , US6H23 .
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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