UMH32N Todos los transistores

 

UMH32N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMH32N
   Código: H32
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 40 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 35 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 820
   Paquete / Cubierta: SOT-353
 

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UMH32N Datasheet (PDF)

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UMH32N

UMH32NDatasheetNPN 400mA 20V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) For Muting.lOutline UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (5) VCEO20V (4) (1) (2) VEBO40V (3) IC400mAUMH32N SOT-353 (SC-88) R14.7kWlFeatures1) Built-In Biasing Resistors2) Two DTC943TUB chips in one package.3) High Breakdown Voltage of Emitter to Base BVEBO is

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History: DTA123JUA

 

 
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