UMH32N - описание и поиск аналогов

 

Аналоги UMH32N. Основные параметры


   Наименование производителя: UMH32N
   Маркировка: H32
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 820
   Корпус транзистора: SOT-353

 Аналоги (замена) для UMH32N

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMH32N даташит

 ..1. Size:298K  rohm
 umh32n.pdf pdf_icon

UMH32N

UMH32N Datasheet NPN 400mA 20V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) For Muting. lOutline UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (5) VCEO 20V (4) (1) (2) VEBO 40V (3) IC 400mA UMH32N SOT-353 (SC-88) R1 4.7kW lFeatures 1) Built-In Biasing Resistors 2) Two DTC943TUB chips in one package. 3) High Breakdown Voltage of Emitter to Base BVEBO is

Другие транзисторы... UMD6NFHA , UMD9NFHA , UMH10NFHA , UMH11NFHA , UMH14N , UMH14NFHA , UMH1NFHA , UMH2NFHA , BC548 , UMH33N , UMH3NFHA , UMH4NFHA , UMH5NFHA , UMH6NFHA , UMH8NFHA , UMH9NFHA , US6H23 .

 

 
Back to Top

 


 
.