Справочник транзисторов. UMH32N

 

Биполярный транзистор UMH32N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: UMH32N

Маркировка: H32

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 820

Корпус транзистора: SOT-353

Аналоги (замена) для UMH32N

 

 

UMH32N Datasheet (PDF)

1.1. umh32n.pdf Size:298K _upd

UMH32N
UMH32N

UMH32N Datasheet NPN 400mA 20V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) For Muting. lOutline UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (5) VCEO 20V (4) (1) (2) VEBO 40V (3) IC 400mA UMH32N SOT-353 (SC-88) R1 4.7kW lFeatures 1) Built-In Biasing Resistors 2) Two DTC943TUB chips in one package. 3) High Breakdown Voltage of Emitter to Base BVEBO is

Другие транзисторы... UMD6NFHA , UMD9NFHA , UMH10NFHA , UMH11NFHA , UMH14N , UMH14NFHA , UMH1NFHA , UMH2NFHA , D882 , UMH33N , UMH3NFHA , UMH4NFHA , UMH5NFHA , UMH6NFHA , UMH8NFHA , UMH9NFHA , US6H23 .

Back to Top

 


UMH32N
  UMH32N
  UMH32N
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: 2SA1897 | KRC664E | KRC663E | SMUN5335DW | MP1526 | 3DD5287 | E3150 | 3DD2499 | 3DD4212DT | 2SC9014 | US6H23 | UMH9NFHA | UMH8NFHA | UMH6NFHA | UMH5NFHA | UMH4NFHA | UMH3NFHA | UMH33N | UMH32N | UMH2NFHA |


 

 

Back to Top