UMH32N - описание и поиск аналогов

 

UMH32N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UMH32N

Маркировка: H32

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 820

Корпус транзистора: SOT-353

 Аналоги (замена) для UMH32N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMH32N даташит

 ..1. Size:298K  rohm
 umh32n.pdf pdf_icon

UMH32N

UMH32N Datasheet NPN 400mA 20V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) For Muting. lOutline UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (5) VCEO 20V (4) (1) (2) VEBO 40V (3) IC 400mA UMH32N SOT-353 (SC-88) R1 4.7kW lFeatures 1) Built-In Biasing Resistors 2) Two DTC943TUB chips in one package. 3) High Breakdown Voltage of Emitter to Base BVEBO is

Другие транзисторы: UMD6NFHA, UMD9NFHA, UMH10NFHA, UMH11NFHA, UMH14N, UMH14NFHA, UMH1NFHA, UMH2NFHA, BC548, UMH33N, UMH3NFHA, UMH4NFHA, UMH5NFHA, UMH6NFHA, UMH8NFHA, UMH9NFHA, US6H23

 

 

 

 

↑ Back to Top
.