Справочник транзисторов. UMH32N

 

Биполярный транзистор UMH32N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UMH32N
   Маркировка: H32
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 820
   Корпус транзистора: SOT-353
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

UMH32N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:298K  rohm
 umh32n.pdf pdf_icon

UMH32N

UMH32NDatasheetNPN 400mA 20V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) For Muting.lOutline UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (5) VCEO20V (4) (1) (2) VEBO40V (3) IC400mAUMH32N SOT-353 (SC-88) R14.7kWlFeatures1) Built-In Biasing Resistors2) Two DTC943TUB chips in one package.3) High Breakdown Voltage of Emitter to Base BVEBO is

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC2257A | BC337A-16 | TV37

 

 
Back to Top

 


 
.