Биполярный транзистор UMH32N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMH32N
Маркировка: H32
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 820
Корпус транзистора: SOT-353
UMH32N Datasheet (PDF)
..1. Size:298K rohm
umh32n.pdf
umh32n.pdf
UMH32NDatasheetNPN 400mA 20V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) For Muting.lOutline UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (5) VCEO20V (4) (1) (2) VEBO40V (3) IC400mAUMH32N SOT-353 (SC-88) R14.7kWlFeatures1) Built-In Biasing Resistors2) Two DTC943TUB chips in one package.3) High Breakdown Voltage of Emitter to Base BVEBO is
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050