UMH33N Todos los transistores

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UMH33N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMH33N

Código: H33

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 40 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 35 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 820

Empaquetado / Estuche: SOT-353

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UMH33N Datasheet (PDF)

1.1. umh33n.pdf Size:298K _upd

UMH33N
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UMH33N Datasheet NPN 400mA 20V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) For Muting. lOutline UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (5) VCEO 20V (4) (1) (2) VEBO 40V (3) IC 400mA UMH33N SOT-353 (SC-88) R1 2.2kW lFeatures 1) Built-In Biasing Resistors 2) Two DTC923TUB chips in one package. 3) High Breakdown Voltage of Emitter to Base BVEBO is

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