Справочник транзисторов. UMH33N

 

Биполярный транзистор UMH33N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: UMH33N

Маркировка: H33

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 820

Корпус транзистора: SOT-353

Аналоги (замена) для UMH33N

 

 

UMH33N Datasheet (PDF)

1.1. umh33n.pdf Size:298K _upd

UMH33N
UMH33N

UMH33N Datasheet NPN 400mA 20V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) For Muting. lOutline UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (5) VCEO 20V (4) (1) (2) VEBO 40V (3) IC 400mA UMH33N SOT-353 (SC-88) R1 2.2kW lFeatures 1) Built-In Biasing Resistors 2) Two DTC923TUB chips in one package. 3) High Breakdown Voltage of Emitter to Base BVEBO is

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 431 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top