US6H23 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: US6H23
Código: H23
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 820
Empaquetado / Estuche: TUMT6
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar US6H23
US6H23 Datasheet (PDF)
1.1. us6h23.pdf 
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US6H23 / IMH23 Datasheet NPN 600mA 20V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) For Muting. lOutline TUMT6 SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (4) (4) (5) (5) VCEO (6) 20V (6) (3) (3) VEBO 12V (2) (2) (1) (1) IC 600mA IMH23 US6H23 R1 4.7kW SOT-457 (SC-74) lFeatures 1) Built-In Biasing Resistors 2) Two DTC643T chips in one package. 3) Low
1.2. us6h23.pdf Size:98K _rohm
US6H23 Transistors Dual digital transistors US6H23 Dimensions (Unit : mm) Features In addition to the features of regular digital transistors. TUMT6 1) Low saturation voltage, typically VCE (sat) =40mV at IC / IB=50mA / 2.5mA, makes these transistors ideal for muting circuits. 2) These transistors can be used at high current levels, IC=600mA. Structure NPN silicon epi
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