US6H23 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: US6H23
Código: H23
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 820
Paquete / Cubierta: TUMT6
Búsqueda de reemplazo de US6H23
Principales características: US6H23
us6h23.pdf
US6H23 / IMH23 Datasheet NPN 600mA 20V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) For Muting. lOutline TUMT6 SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (4) (4) (5) (5) VCEO (6) 20V (6) (3) (3) VEBO 12V (2) (2) (1) (1) IC 600mA IMH23 US6H23 R1 4.7kW SOT-457 (SC-74) lFeatures 1) Built-In Biasing Resistors 2) Two DTC643T chips in one package. 3) Low
Otros transistores... UMH32N , UMH33N , UMH3NFHA , UMH4NFHA , UMH5NFHA , UMH6NFHA , UMH8NFHA , UMH9NFHA , 13007 , 2SC9014 , 3DD4212DT , 3DD2499 , E3150 , 3DD5287 , MP1526 , SMUN5335DW , KRC663E .
History: 2PB710AXL | 2PA1774SM
History: 2PB710AXL | 2PA1774SM
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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