Биполярный транзистор US6H23 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: US6H23
Маркировка: H23
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 820
Корпус транзистора: TUMT6
US6H23 Datasheet (PDF)
1.1. us6h23.pdf 
Size:399K _upd
US6H23 / IMH23 Datasheet NPN 600mA 20V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) For Muting. lOutline TUMT6 SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (4) (4) (5) (5) VCEO (6) 20V (6) (3) (3) VEBO 12V (2) (2) (1) (1) IC 600mA IMH23 US6H23 R1 4.7kW SOT-457 (SC-74) lFeatures 1) Built-In Biasing Resistors 2) Two DTC643T chips in one package. 3) Low
1.2. us6h23.pdf Size:98K _rohm
US6H23 Transistors Dual digital transistors US6H23 Dimensions (Unit : mm) Features In addition to the features of regular digital transistors. TUMT6 1) Low saturation voltage, typically VCE (sat) =40mV at IC / IB=50mA / 2.5mA, makes these transistors ideal for muting circuits. 2) These transistors can be used at high current levels, IC=600mA. Structure NPN silicon epi
Другие транзисторы... 2N3187 , 2N3188 , 2N3189 , 2N319 , 2N3190 , 2N3191 , 2N3192 , 2N3193 , TIP122 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2N32 , 2N320 , 2N3200 .
