US6H23 - описание и поиск аналогов

 

US6H23 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: US6H23
   Маркировка: H23
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 820
   Корпус транзистора: TUMT6

 Аналоги (замена) для US6H23

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

US6H23 - технические параметры

 ..1. Size:399K  rohm
 us6h23.pdf pdf_icon

US6H23

US6H23 / IMH23 Datasheet NPN 600mA 20V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) For Muting. lOutline TUMT6 SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (4) (4) (5) (5) VCEO (6) 20V (6) (3) (3) VEBO 12V (2) (2) (1) (1) IC 600mA IMH23 US6H23 R1 4.7kW SOT-457 (SC-74) lFeatures 1) Built-In Biasing Resistors 2) Two DTC643T chips in one package. 3) Low

Другие транзисторы... UMH32N , UMH33N , UMH3NFHA , UMH4NFHA , UMH5NFHA , UMH6NFHA , UMH8NFHA , UMH9NFHA , 13007 , 2SC9014 , 3DD4212DT , 3DD2499 , E3150 , 3DD5287 , MP1526 , SMUN5335DW , KRC663E .

History: 2SC1399F | BD510-1

 

 
Back to Top

 


 
.