3DD2102 Todos los transistores

 

3DD2102 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD2102

Código: D2102

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

Resistencia Base-Emisor R2 = 0.05 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 1500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 600 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 5

Empaquetado / Estuche: TO3P

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD2102

 

3DD2102 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd2102.pdf Size:146K _update_bjt

3DD2102
3DD2102

低频放大管壳额定的双极型晶体管 CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD2102 FOR LOW FREQUENCY R 3DD2102 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1500 V BV CBO 6 A I C 5 V(max) V CE(sat) t 1 μs(max) f 用途 APPLICATIONS 彩色电视机行输出电路 Horizontal deflection output for color TV. 1 2 3 FEATURES 产品

5.1. 3dd21.pdf Size:151K _china

3DD2102

3DD21 型 NPN 硅低频大功率晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D E F PCM TC=75℃ 10 W ICM 0.6 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 10 ℃/W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=1mA ≥150 ≥250 ≥400 ≥500 ≥600 ≥700 V V(BR)CEO ICE=1mA ≥100 ≥200 ≥300 ≥400 ≥500 ≥600 V V(BR)EBO IEB=0.5mA ≥5.0 V ICBO VCB=50V ≤0.2

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


3DD2102
  3DD2102
  3DD2102
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: YZ21 | WT062 | TL142 | TIP3055T | TIP2955T | MN638S | MJE340T | MJE3055AT | MJ10012T | KTD1945 | KTC2202 | KTC2200 | KSD880W | BUX47AFI | BUX18A | BUW12W | BUW12AW | BUW11W | BUW11AW | BUV48BFI |

 

 

 
Back to Top