Справочник транзисторов. 3DD2102

 

Биполярный транзистор 3DD2102 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DD2102

Маркировка: D2102

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 0.05 kOhm

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5

Корпус транзистора: TO3P

Аналоги (замена) для 3DD2102

 

 

3DD2102 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd2102.pdf Size:146K _update_bjt

3DD2102
3DD2102

低频放大管壳额定的双极型晶体管 CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD2102 FOR LOW FREQUENCY R 3DD2102 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1500 V BV CBO 6 A I C 5 V(max) V CE(sat) t 1 μs(max) f 用途 APPLICATIONS 彩色电视机行输出电路 Horizontal deflection output for color TV. 1 2 3 FEATURES 产品

5.1. 3dd21.pdf Size:151K _china

3DD2102

3DD21 型 NPN 硅低频大功率晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D E F PCM TC=75℃ 10 W ICM 0.6 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 10 ℃/W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=1mA ≥150 ≥250 ≥400 ≥500 ≥600 ≥700 V V(BR)CEO ICE=1mA ≥100 ≥200 ≥300 ≥400 ≥500 ≥600 V V(BR)EBO IEB=0.5mA ≥5.0 V ICBO VCB=50V ≤0.2

Другие транзисторы... 2SC619 , 2SC62 , 2SC620 , 2SC620M , 2SC621 , 2SC621A , 2SC621M , 2SC622 , 2N5401 , 2SC623 , 2SC624 , 2SC626 , 2SC627 , 2SC627F , 2SC628 , 2SC629 , 2SC63 .

 

 
Back to Top