3DD2102 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD2102  📄📄 

Маркировка: D2102

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 0.05 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD2102

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD2102 даташит

 ..1. Size:146K  jilin sino
 3dd2102.pdf pdf_icon

3DD2102

 9.1. Size:151K  china
 3dd21.pdf pdf_icon

3DD2102

3DD21 NPN A B C D E F PCM TC=75 10 W ICM 0.6 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=1mA 150 250 400 500 600 700 V V(BR)CEO ICE=1mA 100 200 300 400 500 600 V V(BR)EBO IEB=0.5mA 5.0 V ICBO VCB=50V 0.2

Другие транзисторы: 2SC5966, 2SC6092LS, 3DD4204D, CHT847BWPT, STC8050N, XP6111, 3DD209L, 3DD313, 2SC4793, 3DD2901, 3DD5027, AV8050S, BFR360F, HLD133D, MP1620, MRF660, HSC2682