Биполярный транзистор 3DD2102 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD2102
Маркировка: D2102
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 0.05 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: TO3P
3DD2102 Datasheet (PDF)
..1. Size:146K jilin sino
3dd2102.pdf
3dd2102.pdf
NO>e'Y{X[vSgWvfSO{ CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD2102 FOR LOW FREQUENCY R3DD2102 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1500 V BV CBO6 A I C5 V(max) V
9.1. Size:151K china
3dd21.pdf
3dd21.pdf
3DD21 NPN A B C D E F PCM TC=75 10 W ICM 0.6 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=1mA 150 250 400 500 600 700 V V(BR)CEO ICE=1mA 100 200 300 400 500 600 V V(BR)EBO IEB=0.5mA 5.0 V ICBO VCB=50V 0.2
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050