Биполярный транзистор 3DD2102 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD2102
Маркировка: D2102
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 0.05 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: TO3P
3DD2102 Datasheet (PDF)
1.1. 3dd2102.pdf 
Size:146K _update_bjt
低频放大管壳额定的双极型晶体管 CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD2102 FOR LOW FREQUENCY R 3DD2102 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1500 V BV CBO 6 A I C 5 V(max) V CE(sat) t 1 μs(max) f 用途 APPLICATIONS 彩色电视机行输出电路 Horizontal deflection output for color TV. 1 2 3 FEATURES 产品
1.2. 3dd2102.pdf Size:146K _jilin_sino
NO>e'Y{X[vSgWvfSO{ C A S E - R A T E D B I P O L A R T R A N S I S T O R F O R T Y P E 3 D D 2 1 0 2 F O R L O W F R E Q U E N C Y R 3 D D 2 1 0 2 \ň P a c k a g e ;NSpe M A I N C H A R A C T E R I S T I C S T O - 3 P ( H ) I S 1 5 0 0 V B V C B O 6 A I C 5 V ( m a x ) V
5.1. 3dd21.pdf Size:151K _china
3DD21 型 NPN 硅低频大功率晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D E F PCM TC=75℃ 10 W ICM 0.6 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 10 ℃/W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=1mA ≥150 ≥250 ≥400 ≥500 ≥600 ≥700 V V(BR)CEO ICE=1mA ≥100 ≥200 ≥300 ≥400 ≥500 ≥600 V V(BR)EBO IEB=0.5mA ≥5.0 V ICBO VCB=50V ≤0.2
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , SS8550 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
