CE1A3Q Todos los transistores

 

CE1A3Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CE1A3Q
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 15 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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CE1A3Q Datasheet (PDF)

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CE1A3Q

DATA SHEETCOMPOUND TRANSISTORCE1A3Qon-chip resistor NPN silicon epitaxial transistorFor mid-speed switchingThe CE1A3Q is a transistor of on-chip high hFE resistorincorporating dumper diode in collector to emitter and zener diode PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)in collector to base as protect elements. This transistor is ideal foractuator drives of OA equipments and electric equipments

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