CE1A3Q Todos los transistores

 

CE1A3Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CE1A3Q

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 15 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 500

Empaquetado / Estuche: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CE1A3Q

 

CE1A3Q Datasheet (PDF)

1.1. ce1a3q.pdf Size:121K _update_bjt

CE1A3Q
CE1A3Q

DATA SHEET COMPOUND TRANSISTOR CE1A3Q on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching The CE1A3Q is a transistor of on-chip high hFE resistor incorporating dumper diode in collector to emitter and zener diode PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) in collector to base as protect elements. This transistor is ideal for actuator drives of OA equipments and electric equipments

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
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