CE1A3Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CE1A3Q

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для CE1A3Q

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CE1A3Q даташит

 ..1. Size:121K  nec
 ce1a3q.pdf pdf_icon

CE1A3Q

DATA SHEET COMPOUND TRANSISTOR CE1A3Q on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching The CE1A3Q is a transistor of on-chip high hFE resistor incorporating dumper diode in collector to emitter and zener diode PACKAGE DRAWING (UNIT mm) in collector to base as protect elements. This transistor is ideal for actuator drives of OA equipments and electric equipments

Другие транзисторы: MJ13001A, 2T665A9, 2T665B9, FW26025A1, 2SB817C, 2SD1047C, 2SC4714, 2SC6089, SS8050, CHDTC114EKPT, 3DD5039, 3DD5040, ASY34, ASY35, ASY36, MT6L61AE, MT6L61AS