Справочник транзисторов. CE1A3Q

 

Биполярный транзистор CE1A3Q Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CE1A3Q
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
   Корпус транзистора: TO220AB
 

 Аналог (замена) для CE1A3Q

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CE1A3Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  nec
 ce1a3q.pdf pdf_icon

CE1A3Q

DATA SHEETCOMPOUND TRANSISTORCE1A3Qon-chip resistor NPN silicon epitaxial transistorFor mid-speed switchingThe CE1A3Q is a transistor of on-chip high hFE resistorincorporating dumper diode in collector to emitter and zener diode PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)in collector to base as protect elements. This transistor is ideal foractuator drives of OA equipments and electric equipments

Другие транзисторы... MJ13001A , 2T665A9 , 2T665B9 , FW26025A1 , 2SB817C , 2SD1047C , 2SC4714 , 2SC6089 , A1013 , CHDTC114EKPT , 3DD5039 , 3DD5040 , ASY34 , ASY35 , ASY36 , MT6L61AE , MT6L61AS .

 

 
Back to Top

 


 
.