Справочник транзисторов. CE1A3Q

 

Биполярный транзистор CE1A3Q - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: CE1A3Q

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500

Корпус транзистора: TO220AB

Аналоги (замена) для CE1A3Q

 

 

CE1A3Q Datasheet (PDF)

1.1. ce1a3q.pdf Size:121K _update_bjt

CE1A3Q
CE1A3Q

DATA SHEET COMPOUND TRANSISTOR CE1A3Q on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching The CE1A3Q is a transistor of on-chip high hFE resistor incorporating dumper diode in collector to emitter and zener diode PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) in collector to base as protect elements. This transistor is ideal for actuator drives of OA equipments and electric equipments

Другие транзисторы... 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2N2219 , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 , 2SA1815-5 , 2SA182 , 2SA1822 , 2SA183 .

 

 
Back to Top