PTE20124 Todos los transistores

 

PTE20124 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTE20124
   Material: SiNi
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 130 W
   Tensión colector-base (Vcb): 55 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1600 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: 20209

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PTE20124 Datasheet (PDF)

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PTE20124 PTE20124

ePTE 20124*40 Watts, 1.4651.513 GHzCellular Radio RF Power TransistorDescriptionThe 20124 is an NPN common emitter RF power transistor intended 40 Watts, 1.4651.513 GHzfor 26 Vdc class AB operation from 1.45 to 1.52 GHz. Rated at 40 Class AB Characteristicswatts minimum output power, it is specifically intended for cellular Gold Metallizationand DAB power app

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