PTE20124 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTE20124

Material: SiNi

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 130 W

Tensión colector-base (Vcb): 55 V

Tensión colector-emisor (Vce): 55 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1600 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: 20209

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PTE20124 datasheet

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PTE20124

e PTE 20124* 40 Watts, 1.465 1.513 GHz Cellular Radio RF Power Transistor Description The 20124 is an NPN common emitter RF power transistor intended 40 Watts, 1.465 1.513 GHz for 26 Vdc class AB operation from 1.45 to 1.52 GHz. Rated at 40 Class AB Characteristics watts minimum output power, it is specifically intended for cellular Gold Metallization and DAB power app

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