Справочник транзисторов. PTE20124

 

Биполярный транзистор PTE20124 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PTE20124
   Тип материала: SiNi
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: 20209
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PTE20124 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  ericsson
 pte20124.pdf pdf_icon

PTE20124

ePTE 20124*40 Watts, 1.4651.513 GHzCellular Radio RF Power TransistorDescriptionThe 20124 is an NPN common emitter RF power transistor intended 40 Watts, 1.4651.513 GHzfor 26 Vdc class AB operation from 1.45 to 1.52 GHz. Rated at 40 Class AB Characteristicswatts minimum output power, it is specifically intended for cellular Gold Metallizationand DAB power app

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BFS91A | 2SC1069 | 2SA370 | TN3467 | CSA952M | MMPQ3906

 

 
Back to Top

 


 
.