PTE20124. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTE20124

Тип материала: SiNi

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1600 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: 20209

 Аналоги (замена) для PTE20124

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTE20124 даташит

 ..1. Size:252K  ericsson
 pte20124.pdf pdf_icon

PTE20124

e PTE 20124* 40 Watts, 1.465 1.513 GHz Cellular Radio RF Power Transistor Description The 20124 is an NPN common emitter RF power transistor intended 40 Watts, 1.465 1.513 GHz for 26 Vdc class AB operation from 1.45 to 1.52 GHz. Rated at 40 Class AB Characteristics watts minimum output power, it is specifically intended for cellular Gold Metallization and DAB power app

Другие транзисторы: STC9014A, STC9014B, STC9014C, STC9014D, ST1802HI, ST1802FH, ST1803DHI, ST1803DFH, BC639, KSB798O, KSB798Y, KSB798G, 183T2C, 2SA2122G, 2SC5487, 2SC5996A, 2SC5996B