183T2C Todos los transistores

 

183T2C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 183T2C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 87.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 180 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
   Paquete / Cubierta: TO-3
 

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183T2C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  no
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183T2C

Technical DataTRANSISTORmaximum ratingsVoltage, Collector to Base (VCBO) 300.0 V NO. 183T2CVoltage, Collector to Emitter (VCE) 180.0 V TYPE NPNVoltage, Emitter to Base (VEBO) 10.0 V empty emptyCollector Current (IC) 6.0 A empty emptyBase Current (IB) 3.0 A CASE TO-3Max. Power Dissipation (PT) at TC = 25 C 87.5 W empty emptyMax. Thermal Resistance (Rth J-C) 2.0 C/W empty em

 9.1. Size:258K  comset
 bdy26-bdy27-bdy28-183t2-184t2-185t2.pdf pdf_icon

183T2C

COMSETSEMICONDUCTORSBDY26, 183 T2BDY27, 184 T2BDY28, 185 T2NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSEDMESALF Large Signal Power AmplificationHigh Current Fast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Ratings Value UnitBDY26, 183T2 180VCEO Collector-Emitter Voltage BDY27, 184T2 200 VBDY28, 185T2 250BDY26, 183T2 300VCBO Collector-Base Voltage BDY27, 184T2 400 VBDY28, 185T2 50

Otros transistores... ST1802HI , ST1802FH , ST1803DHI , ST1803DFH , PTE20124 , KSB798O , KSB798Y , KSB798G , A1266 , 2SA2122G , 2SC5487 , 2SC5996A , 2SC5996B , 30C02S , CH848BPTP , CH848BPTQ , CH848BPTY .

 

 
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