Справочник транзисторов. 183T2C

 

Биполярный транзистор 183T2C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 183T2C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 87.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: TO-3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

183T2C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  no
 183t2c.pdf pdf_icon

183T2C

Technical DataTRANSISTORmaximum ratingsVoltage, Collector to Base (VCBO) 300.0 V NO. 183T2CVoltage, Collector to Emitter (VCE) 180.0 V TYPE NPNVoltage, Emitter to Base (VEBO) 10.0 V empty emptyCollector Current (IC) 6.0 A empty emptyBase Current (IB) 3.0 A CASE TO-3Max. Power Dissipation (PT) at TC = 25 C 87.5 W empty emptyMax. Thermal Resistance (Rth J-C) 2.0 C/W empty em

 9.1. Size:258K  comset
 bdy26-bdy27-bdy28-183t2-184t2-185t2.pdf pdf_icon

183T2C

COMSETSEMICONDUCTORSBDY26, 183 T2BDY27, 184 T2BDY28, 185 T2NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSEDMESALF Large Signal Power AmplificationHigh Current Fast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Ratings Value UnitBDY26, 183T2 180VCEO Collector-Emitter Voltage BDY27, 184T2 200 VBDY28, 185T2 250BDY26, 183T2 300VCBO Collector-Base Voltage BDY27, 184T2 400 VBDY28, 185T2 50

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: L9012RLT3G | 2SD1399 | 2SD363 | MMBT5551Q | MPSD52

 

 
Back to Top

 


 
.